高速eDRAM技術

同社が今回開発した新eDRAMは、従来のSRAMの3分の1のサイズ、待機時の消費電力は5分の1ながら、高性能を実現している。採用されている製造プロセスは65ナノメートル（nm）である。

いい事づくしですね。自分が死ぬコロにはどんな

ｺﾝﾋﾟｭｰﾀができてるだろうか・・・

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