2007-02-15 高速eDRAM技術 Announce 同社が今回開発した新eDRAMは、従来のSRAMの3分の1のサイズ、待機時の消費電力は5分の1ながら、高性能を実現している。採用されている製造プロセスは65ナノメートル（nm）である。 いい事づくしですね。自分が死ぬコロにはどんな ｺﾝﾋﾟｭｰﾀができてるだろうか・・・ 記事